ASTM F616M-1996(2003) 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
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时间:2024-05-02 23:42:03
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【英文标准名称】:StandardTestMethodforMeasuringMOSFETDrainLeakageCurrent(Metric)
【原文标准名称】:测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
【标准号】:ASTMF616M-1996(2003)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;设计;泄漏试验;电流测量;集成电路;电子探测器;MOSFET排漏电流;电气测量
【英文主题词】:drainleakagecurrent;leakagecurrent;MOSFET
【摘要】:1.1ThistestmethodcoversthemeasurementofMOSFET(Note1)drainleakagecurrent.Note18212;MOSisanacronymformetal-oxidesemiconductor;FETisanacronymforfield-effecttransistor.1.2Thistestmethodisapplicabletoallenhan
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:
【页数】:3P.;A4
【正文语种】:
【原文标准名称】:测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)
【标准号】:ASTMF616M-1996(2003)
【标准状态】:作废
【国别】:
【发布日期】:1996
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(US-ASTM)
【起草单位】:F01.11
【标准类型】:(TestMethod)
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;设计;泄漏试验;电流测量;集成电路;电子探测器;MOSFET排漏电流;电气测量
【英文主题词】:drainleakagecurrent;leakagecurrent;MOSFET
【摘要】:1.1ThistestmethodcoversthemeasurementofMOSFET(Note1)drainleakagecurrent.Note18212;MOSisanacronymformetal-oxidesemiconductor;FETisanacronymforfield-effecttransistor.1.2Thistestmethodisapplicabletoallenhan
【中国标准分类号】:L42
【国际标准分类号】:
【页数】:3P.;A4
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